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標準パッケージ統合回路コンポーネントBUK9E2R3-40E,127
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 1mA |
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Vgs(最大) | ±10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I2PAK |
シリーズ | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
電力消費(最大) | 293W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前 | 568-9871-5 934066413127 BUK9E2R340E127 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 13160pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 87.8nC @ 5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 40V |
詳細な説明 | N-Channel 40V 120A (Tc) 293W (Tc) Through Hole I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 120A (Tc) |