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標準パッケージ統合回路コンポーネントEPC2012C
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 1mA |
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Vgs(最大) | +6V, -4V |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
サプライヤデバイスパッケージ | Die Outline (4-Solder Bar) |
シリーズ | eGaN® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100 mOhm @ 3A, 5V |
電力消費(最大) | - |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | Die |
他の名前 | 917-1084-2 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 140pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.3nC @ 5V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 200V |
詳細な説明 | N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5A (Ta) |