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標準パッケージ統合回路コンポーネント2SD21330RA
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 50V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 400mV @ 50mA, 500mA |
トランジスタ型式 | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ | MT-3-A1 |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 1.5W |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 3-SIP |
他の名前 | 2SD21330RACT |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション | 200MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 200MHz 1.5W Through Hole MT-3-A1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 120 @ 500mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 1A |
ベース部品番号 | 2SD2133 |