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標準パッケージ統合回路コンポーネントSTH180N10F3-2
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | H2Pak-2 |
シリーズ | STripFET™ III |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.5 mOhm @ 60A, 10V |
電力消費(最大) | 315W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | 497-11216-2 STH180N10F32 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 6665pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 114.6nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2Pak-2 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 180A (Tc) |