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標準パッケージ統合回路コンポーネントSTQ1HNK60R-AP
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 |
シリーズ | SuperMESH™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8.5 Ohm @ 500mA, 10V |
電力消費(最大) | 3W (Tc) |
パッケージング | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
他の名前 | 497-15648-3 STQ1HNK60R-AP-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 38 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 156pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 600V |
詳細な説明 | N-Channel 600V 400mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 400mA (Tc) |