在庫あり: 58605
私たちは、非常に競争力のある価格でE3M0280090Dのディストリビューターを在庫しています。Quick RFQフォームを使用して、今すぐE3M0280090Dの最新のPirce、在庫、リードタイムをご覧ください。E3M0280090Dの品質と信頼性に対する当社のコミットメントは揺るぎないものであり、E3M0280090Dの完全性を確保するために、厳しい品質検査と配信プロセスを実装しました。ここでE3M0280090Dデータシートも見つけることができます。
標準パッケージ統合回路コンポーネントE3M0280090D
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 1.2mA |
---|---|
Vgs(最大) | +18V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, E |
RoHSステータス | RoHS Compliant |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
電力消費(最大) | 54W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 150pF @ 600V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.5nC @ 15V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 900V |
詳細な説明 | N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11.5A (Tc) |