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標準パッケージ統合回路コンポーネントFDD3670
電圧 - テスト | 2490pF @ 50V |
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電圧 - ブレークダウン | TO-252 |
同上@ VGS(TH)(最大) | 32 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs(最大) | 6V, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | PowerTrench® |
RoHSステータス | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 34A (Ta) |
偏光 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前 | FDD3670-ND FDD3670TR |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 17 Weeks |
製造元の部品番号 | FDD3670 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 80nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100V |
静電容量比 | 3.8W (Ta), 83W (Tc) |