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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 1.8V |
技術 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
シリーズ | - |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH, RAM |
詳細な説明 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) Parallel 533MHz |
クロック周波数 | 533MHz |