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標準パッケージ統合回路コンポーネントCYDM064B16-40BVXI
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 40ns |
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電源電圧 - | 1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V |
技術 | SRAM - Dual Port, MoBL |
サプライヤデバイスパッケージ | 100-VFBGA (6x6) |
シリーズ | - |
パッケージング | Tray |
パッケージ/ケース | 100-VFBGA |
運転温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Volatile |
記憶容量 | 64Kb (4K x 16) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | SRAM |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 64Kb (4K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6) |
ベース部品番号 | CYDM |
アクセス時間 | 40ns |