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標準パッケージ統合回路コンポーネントMT29E4T08EYHBBG9-3ES:B
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | - |
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電源電圧 - | 2.5 V ~ 3.6 V |
技術 | FLASH - NAND |
シリーズ | - |
運転温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
水分感受性レベル(MSL) | 3 (168 Hours) |
メモリタイプ | Non-Volatile |
記憶容量 | 4Tb (512G x 8) |
メモリインタフェース | Parallel |
メモリ形式 | FLASH |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
詳細な説明 | FLASH - NAND Memory IC 4Tb (512G x 8) Parallel 333MHz |
クロック周波数 | 333MHz |