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標準パッケージ統合回路コンポーネントC3M0065100K
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 5mA |
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Vgs(最大) | +19V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
シリーズ | C3M™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 78 mOhm @ 20A, 15V |
電力消費(最大) | 113.5W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-4 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
水分感受性レベル(MSL) | Not Applicable |
メーカーの標準リードタイム | 26 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 660pF @ 600V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 15V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V |
詳細な説明 | N-Channel 1000V 35A (Tc) 113.5W (Tc) TO-247-4L |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 35A (Tc) |