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標準パッケージ統合回路コンポーネントC3M0120090J
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 3mA |
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Vgs(最大) | +18V, -8V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK-7 |
シリーズ | C3M™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 155 mOhm @ 15A, 15V |
電力消費(最大) | 83W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 26 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 350pF @ 600V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 17.3nC @ 15V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 900V |
詳細な説明 | N-Channel 900V 22A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount D2PAK-7 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 22A (Tc) |