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標準パッケージ統合回路コンポーネントIPB50R299CPATMA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.5V @ 440µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
シリーズ | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 299 mOhm @ 6.6A, 10V |
電力消費(最大) | 104W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | IPB50R299CP IPB50R299CP-ND IPB50R299CPATMA1TR SP000236094 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1190pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 550V |
詳細な説明 | N-Channel 550V 12A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12A (Tc) |