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標準パッケージ統合回路コンポーネントIPB50CN10NGATMA1
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 20µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
シリーズ | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 50 mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 44W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前 | IPB50CN10N G IPB50CN10N G-ND IPB50CN10NGATMA1TR SP000277696 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1090pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 16nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 20A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20A (Tc) |