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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRFH5053TRPBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.9V @ 100µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) Single Die |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 18 mOhm @ 9.3A, 10V |
電力消費(最大) | 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
他の名前 | IRFH5053TRPBFTR SP001556266 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 2 (1 Year) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1510pF @ 50V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 36nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100V |
詳細な説明 | N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.3A (Ta), 46A (Tc) |