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標準パッケージ統合回路コンポーネントIRFH5106TR2PBF
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) |
シリーズ | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
他の名前 | IRFH5106TR2PBFCT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3090pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
詳細な説明 | N-Channel 60V 21A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 21A (Ta), 100A (Tc) |