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標準パッケージ統合回路コンポーネント1N8033-GA
電圧 - ピーク逆(最大) | Silicon Carbide Schottky |
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電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 4.3A (DC) |
電圧 - ブレークダウン | TO-276 |
シリーズ | - |
RoHSステータス | Tube |
逆回復時間(trrの) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
もし、F @抵抗 | 274pF @ 1V, 1MHz |
偏光 | TO-276AA |
他の名前 | 1242-1120 1N8033GA |
動作温度 - ジャンクション | 0ns |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
製造元の部品番号 | 1N8033-GA |
拡張された説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 4.3A (DC) Surface Mount TO-276 |
ダイオード構成 | 5µA @ 650V |
説明 | DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1.65V @ 5A |
電流 - 平均整流(イオ)(ダイオード当たり) | 650V |
Vrと、F @キャパシタンス | -55°C ~ 250°C |