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標準パッケージ統合回路コンポーネント1N8032-GA
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1.3V @ 2.5A |
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電圧 - 逆(VR)(最大) | 650V |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-257 |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 0ns |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-257-3 |
他の名前 | 1242-1119 1N8032GA |
動作温度 - ジャンクション | -55°C ~ 250°C |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 18 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Contains lead / RoHS non-compliant |
ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
詳細な説明 | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 2.5A Through Hole TO-257 |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 5µA @ 650V |
電流 - 平均整流(イオ) | 2.5A |
Vrと、F @キャパシタンス | 274pF @ 1V, 1MHz |
ベース部品番号 | 1N8032 |