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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI2367DS-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
電力消費(最大) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | SI2367DS-T1-GE3-ND SI2367DS-T1-GE3TR SI2367DST1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 561pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 8V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | P-Channel 20V 3.8A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.8A (Tc) |