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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI2374DS-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 30 mOhm @ 4A, 4.5V |
電力消費(最大) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | SI2374DS-T1-GE3CT |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 735pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 20nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | N-Channel 20V 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.5A (Ta), 5.9A (Tc) |