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標準パッケージ統合回路コンポーネントFQA7N80C-F109
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3PN |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V |
電力消費(最大) | 198W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
他の名前 | FQA7N80C_F109 FQA7N80C_F109-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 5 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1680pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800V |
詳細な説明 | N-Channel 800V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 7A (Tc) |