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標準パッケージ統合回路コンポーネントFQA70N15
電圧 - テスト | 5400pF @ 25V |
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電圧 - ブレークダウン | TO-3PN |
同上@ VGS(TH)(最大) | 28 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs(最大) | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ | QFET® |
RoHSステータス | Tube |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 70A (Tc) |
偏光 | TO-3P-3, SC-65-3 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 12 Weeks |
製造元の部品番号 | FQA70N15 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 175nC @ 10V |
IGBTタイプ | ±25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4V @ 250µA |
FET特長 | N-Channel |
拡張された説明 | N-Channel 150V 70A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-3PN |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | - |
説明 | MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 150V |
静電容量比 | 330W (Tc) |