在庫あり: 56147
私たちは、非常に競争力のある価格でC2M0160120Dのディストリビューターを在庫しています。Quick RFQフォームを使用して、今すぐC2M0160120Dの最新のPirce、在庫、リードタイムをご覧ください。C2M0160120Dの品質と信頼性に対する当社のコミットメントは揺るぎないものであり、C2M0160120Dの完全性を確保するために、厳しい品質検査と配信プロセスを実装しました。ここでC2M0160120Dデータシートも見つけることができます。
標準パッケージ統合回路コンポーネントC2M0160120D
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 500µA |
---|---|
Vgs(最大) | +25V, -10V |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
シリーズ | Z-FET™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 196 mOhm @ 10A, 20V |
電力消費(最大) | 125W (Tc) |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 52 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 527pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32.6nC @ 20V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1200V |
詳細な説明 | N-Channel 1200V 19A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A (Tc) |