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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI3900DV-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
電力 - 最大 | 830mW |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | SI3900DV-T1-GE3TR SI3900DVT1GE3 |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 4nC @ 4.5V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2A |
ベース部品番号 | SI3900 |