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標準パッケージ統合回路コンポーネントSI3900DV-T1-E3
電圧 - テスト | - |
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電圧 - ブレークダウン | 6-TSOP |
同上@ VGS(TH)(最大) | 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
シリーズ | TrenchFET® |
RoHSステータス | Digi-Reel® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 2A |
電力 - 最大 | 830mW |
偏光 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前 | SI3900DV-T1-E3DKR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 15 Weeks |
製造元の部品番号 | SI3900DV-T1-E3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4nC @ 4.5V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.5V @ 250µA |
FET特長 | 2 N-Channel (Dual) |
拡張された説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | Logic Level Gate |
説明 | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 20V |