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標準パッケージ統合回路コンポーネントAPTM100SK33T1G
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 2.5mA |
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Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 396 mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大) | 390W (Tc) |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP1 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7868pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 305nC @ 10V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V |
詳細な説明 | N-Channel 1000V 23A (Tc) 390W (Tc) Chassis Mount SP1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Tc) |