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標準パッケージ統合回路コンポーネントAPTM100H80FT1G
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 1mA |
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サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 960 mOhm @ 9A, 10V |
電力 - 最大 | 208W |
パッケージング | Bulk |
パッケージ/ケース | SP1 |
運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3876pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 150nC @ 10V |
FETタイプ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 1000V (1kV) |
詳細な説明 | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 11A 208W Chassis Mount SP1 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 11A |