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標準パッケージ統合回路コンポーネント2SB817C-1E
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 140V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 2V @ 500mA, 5A |
トランジスタ型式 | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P-3L |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 120W |
パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
他の名前 | 2SB817C-1E-ND 2SB817C-1EOS |
運転温度 | 150°C (TJ) |
装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 2 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 10MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 12A 10MHz 120W Through Hole TO-3P-3L |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 100 @ 1A, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100µA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 12A |