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標準パッケージ統合回路コンポーネント2SB815-6-TB-E
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 15V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大) | 80mV @ 10mA, 100mA |
トランジスタ型式 | PNP |
サプライヤデバイスパッケージ | 3-CP |
シリーズ | - |
電力 - 最大 | 200mW |
パッケージング | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
他の名前 | 2SB815-6-TB-EOSCT |
運転温度 | 125°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 4 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション | 250MHz |
詳細な説明 | Bipolar (BJT) Transistor PNP 15V 700mA 250MHz 200mW Surface Mount 3-CP |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小) | 200 @ 50mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大) | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max) | 700mA |