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標準パッケージ統合回路コンポーネントSIZ988DT-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V |
電力 - 最大 | 20.2W, 40W |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
メーカーの標準リードタイム | 22 Weeks |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 40A (Tc), 60A (Tc) |