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標準パッケージ統合回路コンポーネントSIZF916DT-T1-GE3
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA |
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サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V |
電力 - 最大 | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) |
パッケージング | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN |
他の名前 | SIZF916DT-T1-GE3TR |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム | 32 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 22nC @ 10V, 95nC @ 10V |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長 | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
詳細な説明 | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 23A (Ta), 40A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23A (Ta), 40A (Tc) |